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香港挂牌记录英特尔于2020年推出144层QLC NAND

更新时间:2019-10-05

  9月26日,韩国首尔,英特尔在“ Memory&Storage Day 2019”活动上公布了SSD产品的技术路线图。其中,该公司还详细阐述了SSD产品(如英特尔660p)中使用的QLC NAND技术。

  3D NAND是当前SSD中常用的闪存技术。换句线D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情况下增加容量。然而,在像高层建筑物中那样允许单元(NAND的最小单位)沿3D方向存储的3D NAND中,容量可以随着层数的增加而增加。香港挂牌记录

  英特尔的3D NAND于2016年被商业化为第一代32层TLC NAND。NAND闪存具有多种方法,具体取决于可存储在一个单元中的数据量。如果可以在一个单元中存储多个数据,则具有可以实现更大容量的优点,但是却存在速度和耐用性降低的缺点。当前,由于容量,性能和耐用性之间的平衡,MLC和TLC变得越来越流行,现在可以以较低成本实现更高容量的QLC处于扩散阶段。

  英特尔于2017年推出了具有64层QLC的第二代3D NAND,该产品用于Intel 660p的客户端产品中。即使具有2TB这样的大容量,Intel 660p的价格也将比TLC NAND便宜得多,这使其成为一种以SSD速度满足大容量需求的产品。

  英特尔将于今年(2019年)推出的第三代产品是96层QLC。作为96层QLC,英特尔已经解释说,“ 665p”是“ 660p”的后续产品,它已经计划并即将推出。计划为数据中心计划“ Cliffdale-R”(开发代码名称),该中心计划于2020年启动。

  此外,英特尔还透露了144层QLC,计划于2020年推出新产品。基于144层QLC的产品将是“ Arbordale +”(开发代码名称),并将在数据中心推出。

  此外,英特尔已经成功开发出一种技术,该技术使用该公司用于3D NAND的浮栅单元技术在一个单元中存储5位数据,并且将来将实现5bit /cell的产品。

  目前,这是一种5bit /cell的技术,尚无诸如SLC / MLC / TLC / QLC之类的名称,但是如果实现了,我们希望在产品中早日实现,以便可以实现更大容量的SSD。


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