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采用全新架构 美光正式推出第四代3D NAND闪存ww

更新时间:2019-10-08

  众所周知,闪存的应用在我们日常生活中随处可见,比如手机相机电脑U盘等产品都需要闪存的支持,所以它的每一步发展都让我们非常关注。近日,美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样了,并且将于2020年开始商用,这对于闪存领域来说又是一项全新的创举。

  全新的美光第四代3D NAND存储芯片是基于美光的RG架构制成,并且使用了多达128个有源层,继续使用CMOS设计思路。此外,为了降低成本和尺寸,第四代存储新品将会将3D NAND的存储器改变为浮栅技术,这对于升级到下一代制造工艺也会更容易一些,并且这一项技术完全是完全美光自己研发的。

  不过,因为目前的流片也只是美光对于新闪存的尝试,他们没有计划将现在的产品线转向全新的RG架构,所以也不会给现阶段产品降低成本。

  根据了解,美光正在提高自己96层3D NAND产品的产量,并且将会在明年在自己的产品线中开始大规模普及和应用,而128层的3D NAND会在后续的工艺节点被广泛的使用。www.148918.com

  现在,由于数据量的迅速增大,存储技术也在飞速的发展中,其中3D NAND闪存从2014年的24层发展到现在主流的96层,花费的时间非常短。但是,增加层数看着可不像数字叠加这么简单,增加层数意味着需要制造出更多晶圆,这直接导致了成本的上升。

  随着内存的重要性越来越大,所以中国最近几年也在发展自己的相关产业,甚至建立起来了多个大型的内存基地,这也使得中国在NAND闪存领域有着长足的进步和发展。其中,紫光旗下的长江存储在2018年就量产了32层的NAND闪存,并且今年正式量产64层的NAND闪存。

  但是,三星、SK海力士等厂商目前都已经大规模的使用96层堆叠技术,长江存储的64层还是落后一代。不过,根据紫光方面透露,他们自主研发的Xtacking 3D堆栈技术,在明年将会跳过96层堆叠技术,从而直接提升至128层堆叠NAND闪存。这样,他们就将与国际大厂保持同步了。

  其实,长江存储成立至今也就3年的时间,如果明年线层堆叠NAND闪存,那么他就已经追赶上一线大厂,能发展到这样的规模让我们都感到非常兴奋。所以说,对于技术方面的掌握和研发,中国还是非常有实力的。


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