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金牛网美光128层第四代3D NAND芯片完成首次流片

更新时间:2019-10-10

  有消息称,美光科技第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的取代栅极(Replacement Gate)架构。不过美光也表示,新一代产品计划于2020年实现量产,但仅将应用于特定领域,因此,明年其3D NAND成本降低将会很少。不过美光承诺2021财年(2020年9月份开始),大规模应用取代栅极结构后,每bit的成本将有效降低。

  美光新型取代栅极架构将首次应用在128层产品中,继续沿用CMOS阵列。美光之前的3D NAND闪存芯片采用同英特尔一起研发的浮栅结构,新一代取代栅极结构有望让晶圆大小和成本进一步降低,并可以更轻松过渡到下一代3D NAND技术。

  该技术完全由美光公司开发,没有英特尔的任何投入,金牛网。因此它很可能是针对美光最希望面向的应用量身定制(可能是高ASP,如移动设备,消费类产品等)。

  美光CEO,丰盛集团遭遇债务危机 “同胞公2019-09-19,Sanjay Mehrotra表示,我们已经成功完成取代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片。首代取代栅极架构将被应用于128层NAND产品。


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